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P1激光刻蝕：在透明導(dǎo)電電極 TCO 沉積后，和電荷傳輸層沉積前，進(jìn)行激光刻蝕，以形成彼此獨(dú)立的條形導(dǎo)電電極；
P2激光刻蝕：在第二電荷傳輸層沉積后，底電極沉積之前，進(jìn)行激光刻蝕，去除 HTL/鈣鈦礦層/ETL，留下TCO層，形成一個(gè)空縫。進(jìn)行底電極層沉積時(shí)金屬會(huì)填滿這個(gè)空縫，從而將一個(gè)電池的底電極與下一個(gè)電池的透明頂電極相連；
P3激光刻蝕：去除相鄰電池的底電極/HTL（空穴層）/鈣鈦礦層/ETL（電子 層），留下 TCO 層，從而實(shí)現(xiàn)分離效果；
P4清邊：去除薄膜的邊緣區(qū)域，利用激光劃線劃分出區(qū)域后進(jìn)行清除。
Total Solution
激光劃線和清邊是鈣鈦礦制備過程中的必須工序。鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用需 要解決制備大面積組件所面臨的電阻提高等問題，主要解決方向是通過將電池以串聯(lián)或者并聯(lián)的方式制作組件來降低電阻，其中串聯(lián)是鈣鈦礦的主要應(yīng)用方式。
在形成鈣鈦礦電池的串聯(lián)結(jié)構(gòu)時(shí)需要對(duì)不同的功能層在不同的位置進(jìn)行劃線。功能層的劃線可以通過掩膜版、化學(xué)蝕刻、機(jī)械或者激光劃線完成。
激光劃線可以產(chǎn)生更細(xì)的劃線區(qū)域，目前激光劃線已逐漸取代其他劃線方法成為主要的劃線方法，同時(shí)激光設(shè)備還可以應(yīng)用于鈣鈦礦的膜層清除工序環(huán)節(jié)。
Major Equipment
設(shè)備介紹：本設(shè)備為薄膜太陽(yáng)能專用試驗(yàn)線，適合CIGS、 碲化鎘、鈣鈦礦、ITO/TCO以及BIPV的劃線、切割。
應(yīng)用領(lǐng)域：各大高校、科研院所及初創(chuàng)公司
設(shè)備優(yōu)勢(shì)：
1、大理石平臺(tái)：穩(wěn)定承載，耐腐蝕；
2、直線電機(jī)模組，速度快，精度高；
3、雙光路設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，滿足定制化要求。
設(shè)備介紹：本設(shè)備適用于各種薄膜太陽(yáng)能電池去除薄膜的邊緣區(qū)域，利用激光劃線劃分出區(qū)域后進(jìn)行清除。
應(yīng)用領(lǐng)域：各大高校、科研院所及初創(chuàng)公司
設(shè)備優(yōu)勢(shì)：
1、高功率納秒紅外激光，定制化的光斑整形，可有效提高清邊效率；
2、自主設(shè)計(jì)的加工系統(tǒng)，操作簡(jiǎn)單、方便快捷；
3、精密的集塵設(shè)計(jì)，巧妙解決煙塵問題。
設(shè)備介紹：本設(shè)備為薄膜太陽(yáng)能專用量產(chǎn)線，適合碲化鎘、鈣鈦礦電池P0打標(biāo)、P1-P3劃線、P4清邊的自動(dòng)化設(shè)備。
應(yīng)用領(lǐng)域：兆瓦線、G瓦線等量產(chǎn)客戶
設(shè)備優(yōu)勢(shì)：
1、高產(chǎn)能：超快激光，配備至少8路加工光束，單機(jī)產(chǎn)能超過150MW；
2、高精度：擁有多項(xiàng)獨(dú)有“秘密科技”，刻劃精度＜±10um，死區(qū)可控制在130um以內(nèi)；
3、高可靠度：獨(dú)特的設(shè)計(jì)理念，設(shè)備稼動(dòng)率超過98%。