薄膜太陽(yáng)能電池未來能不能替代硅基太陽(yáng)能？
硅基太陽(yáng)電池一般包括晶體硅和薄膜硅兩類，晶體硅有單晶和多晶，薄膜硅起初有非晶硅，后來有微晶硅、納米硅、非晶硅鍺等薄膜類型，統(tǒng)稱硅基薄膜。而當(dāng)前成熟的薄膜電池包括硅基薄膜、CIGS和CdTe等，Ge基GaAs聚光薄膜電池也算其中一種。
晶體硅電池技術(shù)成熟，產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定，產(chǎn)量大，是光伏市場(chǎng)主要產(chǎn)品（90%以上），特點(diǎn)是效率較高，多晶電池>17%，單晶電池>18%，高效率單晶量產(chǎn)效率可以>20%。薄膜電池各有特點(diǎn)：硅基薄膜單結(jié)效率低，但非晶硅有光致衰減，高穩(wěn)定效率有10%，目前通過和非晶硅鍺及微晶硅形成兩結(jié)或三結(jié)疊層電池提高效率，兩結(jié)高穩(wěn)定效率為12.4%，三結(jié)高穩(wěn)定效率為13.6%（United Solar，已經(jīng)關(guān)門），再往上提高目前遇到了瓶頸；CIGS效率發(fā)展快，目前高效率已經(jīng)達(dá)到21.7%（注意，多晶硅高才20.4%），但是其中使用到了金屬銦，銦是伴生礦，單位價(jià)格比金硅，同時(shí)CIGS是四元材料，對(duì)工藝技術(shù)要求高；CdTe電池技術(shù)稍微簡(jiǎn)單些，但是鎘Cd可是有毒的，對(duì)組件的安全性有要求。CdTe電池的高效率也達(dá)到21%了。上述三類薄膜電池涉及化學(xué)或物理沉積技術(shù)，也就是CVD和PVD，真空過程使成本和能耗稍微高了一些。
目前，從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)化效率和理論轉(zhuǎn)化效率來看，晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率提升空間有限，綜合成本下行空間小，即使采用PERC技術(shù)提高晶硅電池轉(zhuǎn)化效率，但綜合成本反而更高，因此，五年后薄膜太陽(yáng)能電池有望趕超晶硅太陽(yáng)能電池。
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